Инженеры Массачусетского технологического института (MIT) представили магнитный транзистор, способный значительно повысить энергоэффективность электронных устройств. Несмотря на то что магниты известны человечеству на протяжении тысячелетий, их потенциал в электронике до сих пор не был полностью реализован. Новая разработка учёных из США предлагает магнитный транзистор с памятью, что может решить ряд актуальных задач в области электроники.

Ключевая проблема, которую решает этот транзистор, заключается в ограничениях традиционных кремниевых полупроводников, которые не могут функционировать при низких напряжениях. Новый магнитный транзистор использует спин электронов для управления их потоком, что позволяет создавать более компактные и энергоэффективные схемы с встроенной памятью, развивая направление спинтроники.

Эта технология основана на двумерном магнитном полупроводнике — бромиде сульфида хрома, который обладает уникальными магнитными свойствами и стабильностью на воздухе. Магнитный транзистор переключается между двумя состояниями под воздействием внешнего магнитного поля, что снижает энергозатраты. Кроме того, электрический ток может напрямую управлять магнитными состояниями, что упрощает создание чипов с множеством таких транзисторов.

Эксперименты показали, что новый транзистор в десять раз эффективнее в переключении и усилении электрического тока по сравнению с существующими аналогами. Также его магнитные свойства позволяют сохранять состояния, что делает его не только транзистором, но и ячейкой памяти, что открывает новые горизонты для вычислений в памяти в контексте развития ИИ и периферийных вычислений.