Admin
20.10.2025
Память HBM4E, считающаяся седьмым поколением технологии, предполагает создание многослойных стеков DRAM. В 2027 году Samsung Electronics планирует начать массовое производство HBM4E, что позволит увеличить скорость передачи данных в 2,5 раза по сравнению с текущей HBM3E. Как сообщает Business Korea, на OCP Global Summit 2025 представители компании сообщили о намерении достичь скорости 13 Гбит/с на контакт, что при 2048 контактах обеспечит общую пропускную способность в 3,25 Тбайт/с. Энергетическая эффективность HBM4E превысит показатели HBM3E более чем в два раза. В январе Samsung планировала увеличить скорость до 10 Гбит/с, но благодаря запросам Nvidia, производители подняли планку до 13 Гбит/с. Также компания анонсировала LPDDR6 с пропускной способностью 114,1 Гбайт/с и улучшенной энергетической эффективностью на 20% по сравнению с LPDDR5X. В сфере контрактного производства Samsung собирается наладить выпуск 2-нм чипов до конца года для компании Rebellions, которые смогут достигать частот до 4 ГГц.